[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610153697.1 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1933124A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 大冈丰 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 这里公开了一种半导体器件的制造方法，其包括的步骤有：在半导体衬底上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成金属掩模；通过蚀刻所述金属掩模和所述层间绝缘膜在所述金属掩模和所述层间绝缘膜内形成图案沟槽；在所述层间绝缘膜上形成导电层，以填充所述图案沟槽；以及对所述层间绝缘膜上的多余导电层和所述金属掩模进行抛光，从而使所述导电层保留在所述图案沟槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成金属掩模；通过蚀刻掉所述金属掩模和所述层间绝缘膜的部分在所述金属掩模和所述层间绝缘膜内形成图案沟槽；在所述层间绝缘膜上形成导电层，以填充所述图案沟槽；以及对所述层间绝缘膜上的多余导电层和所述金属掩模进行抛光，从而使所述导电层保留在所述图案沟槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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