[发明专利]具有介质应力产生区的晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610153801.7 | 申请日： | 2006-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1976060A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | D·奇丹巴拉奥;B·J·格林;K·里姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过包括分离介质应力产生区的结构给PFET的沟道区施加压缩应力，所述介质应力产生区完全位于其中设置PFET的源极、漏极和沟道区的有源半导体区的底表面下面。具体地，所述介质应力产生区包括与所述有源半导体区的所述底表面完全接触的收缩氧化物区，以使它具有与所述底表面区共同延伸的区域。所述介质应力产生区边缘处的鸟嘴状氧化物区在所述介质应力产生区的边缘处施加向上的力，以给所述PFET的所述沟道区施加压缩应力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介质 应力 产生 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片，包括：有源半导体区，具有在半导体衬底的主表面处的顶表面和在所述主表面下面的第一深度处的底表面；p型场效应晶体管(“PFET”)，具有全部置于所述有源半导体区内的沟道区、源极区和漏极区；以及分离介质应力产生区，包括与所述有源半导体区的所述底表面完全接触的收缩氧化物区，所述收缩氧化物区的顶表面具有与所述底表面区共同延伸的区域，以给所述PFET的所述沟道区施加压缩应力。
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