[发明专利]光信息记录介质无效
申请号: | 200610153854.9 | 申请日: | 2003-01-10 |
公开(公告)号: | CN1945713A | 公开(公告)日: | 2007-04-11 |
发明(设计)人: | 青山信秀;秋山良太;森本宁章;细川哲夫 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B11/105 | 分类号: | G11B11/105;G11B7/00;G11B20/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光信息记录介质。在同时读出ROM-RAM信息时,可以稳定地再生RAM信息。上述光信息记录介质具有:包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域的基板;以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜,上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10%~37%,上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15%~25%。作为一种实施方式,使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8~λ/10(其中,λ是用于记录或再生的激光的波长)。 | ||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 | ||
【主权项】:
1.一种光信息记录介质,该光信息记录介质具有:基板,其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域;以及光磁记录膜,其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域,用于记录RAM信号;其特征在于,将把光磁记录标记作为RAM信号记录在上述ROM区域中的以随机标记长度进行记录的区域中时的光磁记录信号的再生振幅设为e,将在除去上述光磁记录标记时的光磁记录信号的再生时的从上述ROM信号向上述光磁记录信号的泄漏振幅设为f时,16<100×f/e<34(%)。
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