[发明专利]雪崩光电二极管

摘要

本发明提供能够提高量产性的雪崩光电二极管。在n型InP衬底(1)上依次层叠n型InP缓冲层(2)、n型GaInAs光吸收层(3)、n型GaInAsP过度层(4)、n型InP电场调节层(5)、n型InP雪崩倍增层(6)、n型AlInAs窗口层(7)、p型GaInAs接触层(8)。接着，在沿着受光区域外围的环状区域上注入Be离子，由热处理使之激活，形成倾斜型结，作为防止边缘击穿的p型周边区域(9)。然后，在上述受光区域上，选择地使Zn热扩散，直至n型InP雪崩倍增层(6)，形成p型导电区域(10)。

主权项

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，在InP衬底上作为半导体层而至少依次层叠光吸收层、雪崩倍增层和半导体窗口层，在上述半导体窗口层中形成扩散Zn的导电区域；上述半导体窗口层包含由第3族元素和第5族元素构成、以In和As为主要成分的第3族·第5族半导体层。