[发明专利]具有减少的C－轴分布的薄膜结构无效
| 申请号： | 200610154037.5 | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1959814A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | T·J·克莱默;C·F·布鲁克;K·佩霍斯 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/70;G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范征 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种采用例如具有减少的C－轴分布的磁性记录介质的形式的薄膜结构。该结构包括具有第一表面和不与第一表面平行的第二表面的衬底、覆盖在衬底的第一表面和第二表面上的种子层以及种子层上的磁性材料层。该磁性材料层具有相对于与磁性材料层垂直的轴，即磁性材料的表面法线倾斜的C－轴。该种子层具有朝向一般与第一表面或第二表面中的任一个垂直的柱状结构。该种子层的柱状结构充当外延生长的模板。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 分布 薄膜 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜结构，包括：衬底，其具有第一表面和不与所述第一表面平行的第二表面；种子层，其覆盖在所述第一表面和所述第二表面上；以及磁性材料层，其覆盖在所述种子层上。
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