[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200610154051.5 申请日: 2006-09-20
公开(公告)号: CN1940571A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 佐佐木诚 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: G01P15/08 分类号: G01P15/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可以减少由封装和半导体元件的热膨胀系数的不同导致的应力的产生、并且相对于由容纳半导体元件的封装的外部应力或热膨胀等导致的变形、能够稳定地动作的半导体器件。半导体器件(100)具有:在内部具有内腔(101a以及101b)的封装(下部容器(101)、垫片(111)以及上部盖(112))、从内腔(101a以及101b)的任意一面突出的端子(102),和以不与内腔(101a以及101b)的任何一面接触的方式固定在端子(102)上的半导体加速度传感器芯片(10)。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,具有:在内部具有内腔的封装;从所述内腔的任意一面突出的支撑部件;以及以不和所述内腔的任何一面接触的方式固定在所述支撑部件上的半导体元件。
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