[发明专利]EEPROM及其驱动方法有效
| 申请号： | 200610154069.5 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1937229A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 田中浩治 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/04;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种EEPROM(电可擦除且可编程只读存储器)，具有第一MOS晶体管(2、4、5a－5c)以及第二MOS晶体管(3、4、6a－6c)。第一MOS晶体管(2、4、5a－5c)以及第二MOS晶体管(3、4、6a－6c)具有公共栅电极(4)且构成一个存储单元。通过利用第一MOS晶体管(2、4、5a－5c)进行编程操作和擦除操作。通过利用第二MOS晶体管(3、4、6a－6c)进行读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种EEPROM，包括：第一MOS晶体管；和第二MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管具有公共栅电极并且构成一个存储单元，其中通过利用所述第一MOS晶体管执行编程操作和擦除操作，以及通过利用所述第二MOS晶体管执行读取操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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