[发明专利]降低编程边界的可编程非易失性存储元件与其测试方法有效

专利信息
申请号: 200610154301.5 申请日: 2006-09-20
公开(公告)号: CN101042936A 公开(公告)日: 2007-09-26
发明(设计)人: 陈重光 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C29/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是提出一种可降低使用者编程操作的编程边界的可编程非易失性存储元件与其测试方法。此存储元件包括多个存储单元,每个存储单元具有初始临界电压。在测试编程操作中,每个存储单元被编程至具有大于初始临界电压最大值的第一临界电压,使得使用者编程操作所需的编程边界(program margin)即可降低,存储元件的大小与成本亦可降低。当存储元件测试合格时,存储元件是直接用于使用者编程操作,毋须进行抹除操作。
搜索关键词: 降低 编程 边界 可编程 非易失性 存储 元件 与其 测试 方法
【主权项】:
1.一种可降低使用者编程操作的编程边界的可编程非易失性存储器元件,包括:多个存储单元,各该些存储单元具有初始临界电压,其中各该些存储单元经测试编程操作后具有第一临界电压,该些第一临界电压是大于该些初始临界电压的最大值,且经该测试编程操作的该些存储单元是直接进行使用者编程操作。
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