[发明专利]半导体器件及用于设计半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610154329.9 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1967834A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 松本弘毅 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件用于设计半导体器件的方法，其中由于存在通过第一层金属互连线形成的台阶，二氧化硅残渣产生，且然后，当用于金属互连线的、设置在其上面的层内的通孔形成时，所述残留的二氧化硅被蚀刻以形成中空部分，进而，保留在中空部分上的绝缘材料剥落以形成杂质，这导致产量的降低。在本发明中，设置在通孔组下面的层内的、设置用于联接到上层互连线层的互连线设置成覆盖构成它的通孔组的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 设计 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：第一金属互连线；设置在所述第一金属互连线上的第二金属互连线；设置在所述第二金属互连线上的第三金属互连线；和多个通孔，所述多个通孔用于将所述第二金属互连线联接到第三金属互连线上，其中所述第一金属互连线设置成与所述多个通孔中的所有通孔重叠。
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