[发明专利]三极管引线框架的制造方法有效
| 申请号： | 200610154851.7 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1959945A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 曹光伟;段华平 | 申请（专利权）人： | 宁波康强电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315105浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种引线框架的制造方法，特别是一种三极管用的引线框架的冲压制造方法，包括：a.冲压制造引线框架卷带：从同一工件冲压制造通过连接筋(4)连接的两条引线框架卷带，再去除连接筋(4)；所述引线框架卷带为两排单排引线框架卷带(5、6)，所述单排引线框架卷带(5、6)通过设于引线框架卷带头部(7)外沿的分切点(3)并列相接；b.对所述引线框架卷带(5、6)的头部(7)区域及设于引线框架卷带头部(7)外沿的分切点(3)进行电镀；c.切除分切点(3)，再将分离的引线框架卷带(5、6)切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片包括多个引线框架。该方法生产效率高，降低了成本，减少了对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 引线 框架 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种三极管引线框架的制造方法，包括：a.冲压制造引线框架卷带：从同一工件冲压制造通过连接筋(4)连接的两条引线框架卷带，再去除连接筋(4)；所述引线框架卷带为两排单排引线框架卷带(5、6)，所述单排引线框架卷带(5、6)通过设于引线框架卷带头部(7)外沿的分切点(3)并列相接；b.对所述引线框架卷带(5、6)的头部(7)区域及设于引线框架卷带头部(7)外沿的分切点(3)进行电镀；c.切除分切点(3)，再将分离的引线框架卷带(5、6)切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片包括多个引线框架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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