[发明专利]直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法无效
| 申请号： | 200610155648.1 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101016155A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吴云才;刘磊磊 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 徐关寿 |
| 地址： | 314117浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于硅料回收处理技术领域，特别涉及直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法，①将锅底硅料破碎至粒径为3～12mm的颗料状；②调配除杂溶液：氟化氢、硝酸、醋酸溶液按1∶3∶7～9的比例混合置入耐酸槽中；③硅粒用耐酸篮盛放，沉浸入耐酸槽中，搅拌硅粒；④硅粒在耐酸槽的除杂溶液中浸泡1～2小时，从耐酸槽中移走；⑤用水冲洗耐酸篮内的硅粒，待冲洗液pH＝7，烘干硅粒。本发明利用物理方法结合化学方法，将锅底料中杂质富积区腐蚀而去除，得到符合太阳能级技术要求的硅料，使硅原料增加一条非常重要的来源。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉法 生长 硅单晶 产生 锅底 方法 | ||
【主权项】：
1、直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法，其特征在于：①将锅底硅料破碎至粒径为3～12mm的颗料状；②调配除杂溶液：氟化氢、硝酸、醋酸溶液按1∶3∶7～9的比例混合置入耐酸槽中；③硅粒用耐酸篮盛放，沉浸入耐酸槽中，搅拌硅粒；④硅粒在耐酸槽的除杂溶液中浸泡1～2小时，从耐酸槽中移走；⑤用水冲洗耐酸篮内的硅粒，待冲洗液PH＝7，烘干硅粒。
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