[发明专利]一种氮化铝增强碳化硅陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200610155655.1 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN100999411A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郭兴忠;杨辉;高黎华;傅培鑫;马奇;李海淼 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/634 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝增强碳化硅陶瓷，其重量百分比组成为：碳化硅80％～94％，氮化铝5％～19％和氧化钇1％～2％。本发明还公开了该陶瓷的生产方法，包括以下步骤：1)将上述全部的组成成分作为原料放入去离子水中，再添加粘结剂、水溶性高分子混合物溶胶和分散剂，球磨混合5～20小时后形成水基碳化硅浆料；2)采用喷雾造粒工艺对水基碳化硅浆料进行喷雾干燥，制得碳化硅造粉粒；3)对碳化硅造粉粒依次采用干压预压和冷等静压终压，获得碳化硅素坯；4)将碳化硅素坯放入真空无压烧结炉中，在1950～2200℃温度下保温1～5小时后，制备成氮化铝增强碳化硅陶瓷。采用本发明方法制成的陶瓷，能满足特殊工况的机械密封要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 增强 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化铝增强碳化硅陶瓷，其特征是在于该陶瓷的重量百分比组成为：碳化硅80％～94％，氮化铝5％～19％和氧化钇1％～2％。
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