[发明专利]低硅高钙单晶体电熔镁砂熔炼方法无效

专利信息
申请号: 200610155897.0 申请日: 2006-12-30
公开(公告)号: CN100999391A 公开(公告)日: 2007-07-18
发明(设计)人: 崔凤海 申请(专利权)人: 崔凤海
主分类号: C04B2/00 分类号: C04B2/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 115103辽宁省大石桥市*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 低硅高钙单晶体电熔镁砂熔炼方法,精选含量加灼减≥98%的轻烧氧化镁为原料。制备除杂剂,其配方原料名称、规格、重量份分别为:菱镁矿石细粉,含量≥46%、180目60,石油焦工业级10-20,氢氧化镁工业级10-20,氟化镁含量≥70%5-10,纯碱碳酸钠含量≥99%15-25。制法:按配方准确称取原料、混合均匀,加氯化镁溶液粘合,用成球机成球,再干燥至含水≤3%即可。熔炼时加除杂剂,电弧炉起炉1小时后用原料压住明火,向电极三角区加除杂剂,再压上50-100mm原料。每30分钟重复一次这种操作,直至停炉。原料与除杂剂的重量比为1000∶13-15,分次均匀加入。本发明的优点是,技术先进、工艺稳定可靠、节省能源,熔炼周期短,产品质量高,可用于高精尖科研领域。
搜索关键词: 低硅高钙 单晶体 镁砂 熔炼 方法
【主权项】:
1、低硅高钙单晶体电熔镁砂熔炼方法,由熔炼、自然冷却、分选工序组成,其特征在于具有原料精选工序、除杂剂制备工序,在熔炼工序定位、定时、定量加入除杂剂,原料精选,选出的轻烧氧化镁粉的氧化镁含量加灼烧失重≥98%、硅钙比CaO/SiO2>2,除杂剂制备,技术配方、制备方法:技术配方原料名称 规格 重量菱镁矿石细粉 MgO含量≥46%细度180目 60石油焦 工业级 10-20氢氧化镁 工业级 10-20氟化镁 工业级MgF2≥70% 5-10纯碱 NaCO3含量≥99% 15-25,制备方法按技术配方准确称取各种原料并投入混料机中混合均匀,向其中加入适量氯化镁溶液,以便成球时粘合固化、用成球机制成5-20mm不规则球状颗粒,之后将球状颗粒物料送至干燥室在60-70℃干燥至物料中含水≤3%待用,电熔时除杂剂的添加,将精选合格的轻烧氧化镁粉投入电弧炉中在2700-3000℃温度下进行电熔,在起炉1小时后用原料轻烧氧化镁将明火压住,向电极三角区均匀添加除杂剂,其上再加50-100mm轻烧氧化镁粉,以后每30分钟重复一次这种操作,直至停炉,整个电熔过程原料轻烧氧化镁总重量与除杂剂总重量比为1000∶13-15。
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