[发明专利]巨磁阻磁传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610155973.8 申请日: 2006-12-26
公开(公告)号: CN101212017A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 李新化;邱凯;尹志军;钟飞;姬长建;陈家荣;王玉琦;林新华;陈池来;高理升 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;G01R33/09;G11B5/39
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种巨磁阻磁传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有导电层(5)的铁磁层(4),特别是夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)外套装有线圈(3),线圈(3)和铁磁层(4)均由绝缘层(2)裹覆;方法为先后分别多次使用掩模、光刻或离子刻蚀、直流磁控溅射、射频磁控溅射或等离子增强化学气相淀积、半导体薄膜加工工艺于基片上进行刻制、溅射和生成出线圈下层导线、下绝缘层、由铁磁层、导电层和铁磁层构成的磁电阻传感器、中绝缘层、线圈竖直导线、线圈上层导线和上绝缘层,并将线圈下层导线、线圈竖直导线和线圈上层导线电连接,从而制得巨磁阻磁传感器。它具有高的精度和灵敏度,易于工业化生产。
搜索关键词: 磁阻 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种巨磁阻磁传感器,包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有导电层(5)的铁磁层(4),其特征在于所说夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)外套装有线圈(3),所说线圈(3)和铁磁层(4)均由绝缘层(2)裹覆。
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