[发明专利]化学机械抛光垫和化学机械抛光方法无效

专利信息
申请号: 200610156267.5 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN1990183A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 西村秀树;清水崇文;栗山敬祐;辻昭卫 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: B24D17/00 分类号: B24D17/00;B24B29/02;H01L21/304
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的化学机械抛光垫在抛光表面上具有以下两组槽:(i)第一沟槽组,与单根从抛光表面的中心向周边延伸的虚拟直线相交,并且由以下等式表示的槽脊比为6-30:槽脊比=(P-W)÷W(P是虚拟直线和第一沟槽间相邻交点之间的距离,而W是第一沟槽的宽度);和(ii)第二沟槽组,从抛光表面的中心部分向周边部分延伸,包括在中心部分区域中彼此接触的第二沟槽和在中心部分区域中不与任何其它第二沟槽接触的第二沟槽。本发明的化学机械抛光垫即使当化学机械抛光用水分散体的量少时,也具有高抛光速率、并且在被抛光表面抛光量方面具有极好的平面内一致性。
搜索关键词: 化学 机械抛光 方法
【主权项】:
1.一种具有抛光表面和其背面上的非抛光表面的化学机械抛光垫,其中抛光表面具有至少两组槽;(i)第一沟槽组,与单根从抛光表面的中心向周边延伸的虚拟直线相交,彼此间不相交并且由以下等式(1)表示的槽脊比为6-30:槽脊比=(P-W)÷W (1)P是虚拟直线和第一沟槽间相邻交点之间的距离,而W是第一沟槽的宽度;和(ii)第二沟槽组,从抛光表面的中心部分向周边部分延伸,与第一沟槽相交,包括在中心部分区域中彼此接触的第二沟槽和在中心部分区域中不与任何其它第二沟槽接触的第二沟槽,并且彼此不相交。
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