[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 200610156357.4 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1992355A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朴相昱;金大园;赵银喆 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;王诚华 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成发射体层；在所述发射体层上形成绝缘层；在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物，该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂；通过去除其上形成有化学化合物的绝缘层并扩散所述掺杂剂，形成高浓度发射体部分；去除所述化学化合物；以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能电池的制造方法，包括：在半导体衬底的第一表面上形成发射体层；在所述发射体层上形成绝缘层；在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物，该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂；通过去除对应于所述化学化合物的所述绝缘层并将所述掺杂剂朝向所述发射体层扩散，形成高浓度发射体部分；去除所述化学化合物；以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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