[发明专利]制造半导体存储器件的方法无效
| 申请号： | 200610156440.1 | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101097885A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 韩景埴;金永俊 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/82;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体存储器件的方法，其包括：在衬底结构之上形成包括接触塞的绝缘层；在绝缘层之上形成金属线结构，所述金属线结构包括图案化的扩散阻挡层和金属线，并与接触塞接触；以及对所述金属线的表面进行氧化，以在所述金属线之上形成钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造半导体存储器件的方法，包括：在衬底结构之上形成包括接触塞的绝缘层；在所述绝缘层之上形成金属线结构，所述金属线结构包括图案化的扩散阻挡层和金属线并与所述接触塞接触；以及对所述金属线的表面进行氧化，以在所述金属线之上形成钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
