[发明专利]制备红外探测器光敏铅盐薄膜的方法有效
| 申请号： | 200610156551.2 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101170149A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 司俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国空空导弹研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所 | 代理人： | 陈浩 |
| 地址： | 471109*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备红外探测器光敏铅盐薄膜的方法。本发明针对化学沉淀法制备的铅盐薄膜，采用搅拌方式和制备过程中对参与反应的化学母液适时补充的方式，实现所制备的铅盐薄膜在组分上保持空间的均匀性；采用可控大流量氮氧混合气对铅盐薄膜进行敏化处理，实现所制备的铅盐薄膜光电响应特性的空间均匀性。实践检验用本发明制备的25mm×25mm大小的PbS薄膜，其光电响应的均匀性优于25％。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 红外探测器 光敏 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备红外探测器光敏铅盐薄膜的方法，包括铅盐薄膜的化学沉淀步骤和在敏化装置中敏化处理步骤，其特征在于：采用带搅拌的化学沉淀法制备铅盐薄膜；采用通氮氧混合气对铅盐薄膜进行敏化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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