[发明专利]等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质

摘要

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

主权项

1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：是使用等离子体蚀刻装置的、被处理基板的等离子体蚀刻方法，所述等离子体蚀刻装置包括，收容被处理基板并可以进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；对所述第二电极施加相对高频率的第一高频电力的第一高频电施加单元；对所述第二电极施加相对低频率的第二高频电力的第二施加高频电单元；对所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在使用含有硅的掩膜蚀刻被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜时，把所述第一高频电力和第二高频电力施加在所述第二电极上，使从所述处理气体供给单元吐出的、不含CF类气体的处理气体等离子体化，并且把直流电压施加在所述第一电极上，由此，进行所述被处理基板的等离子体蚀刻。