[发明专利]利用熔接密封制造电子装置的方法和熔接密封设备无效
申请号: | 200610156657.2 | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN101009232A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 车裕敏 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/00;C03C27/00;C03C29/00;C04B37/00;H05B33/10 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;韩素云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种熔接密封设备和利用该设备的方法,所述熔接密封设备能够仅对基底的玻璃料部分照射红外线。所述设备包括:第一室;第二室,位于第一室中;灯,位于第二室中;台,位于第一室外部以容纳和固定第一母基底和第二母基底;发射部分,形成在第一室和第二室中并设置为向台引导由灯供给的热。所述设备还包括位于基底上方的掩模,所述掩模包括位于包含玻璃料的区域上方的一个或多个透射部分以及位于其它区域上的一个或多个阻断部分。 | ||
搜索关键词: | 利用 熔接 密封 制造 电子 装置 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种制造包括有机发光显示器的电子装置的方法,所述方法包括的步骤为:提供半成品装置,所述半成品装置包括第一基底、第二基底、有机发光像素阵列和玻璃料,所述阵列位于所述第一基底和所述第二基底之间,所述玻璃料在包围所述阵列的同时位于所述第一基底和所述第二基底之间并接触所述第一基底和所述第二基底;设置掩模,所述掩模包括所述半成品装置的所述第一基底上方的透射窗,所述透射窗位于所述半成品装置的所述玻璃料上方;提供辐射源,构造所述辐射源以从所述辐射源辐射射线;通过相对于所述辐射源移动所述半成品装置,调节所述半成品装置与所述辐射源的相对位置,使得来自所述辐射源的射线可以被引导到所述透射窗;通过所述掩模的所述透射窗将来自所述辐射源的所述射线引导到所述玻璃料,其中,引导到所述玻璃料的所述射线将所述玻璃料的至少部分熔化,从而将所述玻璃料与所述第一基底和所述第二基底熔合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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