[发明专利]低介电常数材料的测量方法

摘要

公开了一种低介电常数材料的测量方法。在用于除去蚀刻处理后的光致抗蚀剂膜的灰化处理中，因使用氧等离子，低介电常数材料表面受损并变成氧化物。为测量受损的低介电常数材料的厚度，利用光学测量系统初步测量形成于衬底上的低介电常数材料的厚度；利用等离子的灰化工艺对形成低介电常数材料的衬底处理，以使低介电常数材料的表面变成氧化物。灰化处理后，利用无机溶液或有机清洗溶液湿清洗衬底，以除去低介电常数材料中变成氧化物的区域。然后，利用光学测量系统再次测量低介电常数材料的厚度，比较初步测量和再次测量值，以计算氧化物的厚度。由于使用设置在半导体制造装置内的光学测量系统，所以可简单快速地测量受损的低介电常数材料的厚度。

主权项

1.一种低介电常数材料的测量方法，该方法包括：在衬底上形成低介电常数材料；利用光学测量系统初步测量该低介电常数材料的厚度；通过采用等离子的灰化工艺对形成有该低介电常数材料的所述衬底进行处理，以使该低介电常数材料的表面变成氧化物；对已进行灰化处理的衬底进行湿清洗，以除去在该低介电常数材料的该表面中形成的、变成所述氧化物的区域；利用该光学测量系统再次测量形成在该衬底上的低介电常数材料的厚度；以及比较利用该光学测量系统测得的该低介电常数材料厚度的初步测量值和再次测量值，以计算在该低介电常数材料中形成的所述氧化物的厚度。