[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610156717.0 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1992195A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 鬼塚年央 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，使得裂纹不会进入在沟槽内埋入的绝缘物中而把绝缘物填充在应该填充的地方。包含：在SOI基板(10)的第1硅基板(1)的给定的位置，到达埋入绝缘膜(3)而形成沟槽(1a)的工序；在包含沟槽(1a)的第1硅基板1上，不完全埋入沟槽(1a)中而使第1BPSG膜成膜的工序；在第1BPSG膜上使NSG膜成膜的工序；以及在NSG膜上使第2BPSG膜成膜的工序，各成膜工序采用CVD法在同一CVD炉内进行，各成膜工序间的切换通过变更供给到上述CVD炉内的气种的次序来进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有在半导体基板上形成的沟槽内埋入了绝缘物的元件分离区域的半导体装置的制造方法，其特征在于包含：在上述半导体基板的给定的位置形成沟槽的工序；在包含上述沟槽的上述半导体基板上，不完全埋入上述沟槽内而使第1BPSG膜成膜的工序；在上述第1BPSG膜上使NSG膜成膜的工序；以及在上述NSG膜上使第2BPSG膜成膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
