[发明专利]片式电容的制造方法

摘要

本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面，在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成，通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件，能够增大IC的周边电路的安装面积。

主权项

1.一种片式电容的制造方法，制造的片式电容，具有：导电性阴极片，备有嵌入IC的连接用插头的贯通孔、和形成在上述贯通孔中需要与上述连接用插头电连接的上述贯通孔内且与上述连接用插头接触的接触部分；导电性阳极片，备有嵌入上述连接用插头的贯通孔、和形成在上述贯通孔中需要与上述连接用插头电连接的上述贯通孔内的与上述连接用插头接触的接触部分；设置在上述阴极片与上述阳极片之间的第1绝缘层；以及，分别与上述阴极片和上述阳极片连接的第1电容元件，上述片式电容的制造方法，包括：将第1绝缘层配置在阴极片的表面与阳极片之间的步骤，其中第1绝缘层，在上述IC的全部的上述连接用插头非接触地嵌入的部分中设置有逃逸贯通孔，阴极片，在成为与上述连接用插头非接触的部分上分别设置了直径比上述连接用插头的外径大的逃逸贯通孔、在使分别设置在上述阴极片、上述绝缘片和上述阳极片上的逃逸贯通孔一致的状态下进行层叠的步骤、和将上述接触部分在上述阴极片和上述阳极片上同时一体形成的步骤。