[发明专利]光掩模、曝光方法与仪器、图形制造、形成方法及半导体器件无效
| 申请号： | 200610156795.0 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101122735A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 山口秀范 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08;G03F1/14;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所述光掩模10包含：衬底11，位于所述衬底11上的曝光区域12，在所述曝光区域12内形成的掩模图形13，以及在所述曝光区域12的外部曝光区域14(右侧区域)内形成的掩模放大倍率信息14X。包括所述掩模图形13的所述整个曝光区域12在沿着如箭头所示的扫描方向(Y方向)上延伸。例如，所述掩模图形13的掩模放大倍率在所述X方向设定为幅值4，在Y方向上设定为幅值8。当利用在所述X和Y方向具有不同的掩模放大倍率的光掩模进行步进扫描曝光技术时，能够转印具有相等的纵向和横向比率的高清晰度晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 曝光 方法 仪器 图形 制造 形成 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于扫描曝光仪器中的光掩模，其包括：在沿着扫描方向上以预定放大倍率偏差延伸的掩模图形。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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