[发明专利]场发射电子源的制造方法有效
| 申请号： | 200610156847.4 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101188179A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;肖林;朱峰;唐洁;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射电子源的制造方法，其包括：提供至少一个阴极导电体、制备一定量的碳纳米管浆料和导电浆料；在阴极导电体上涂敷一层导电浆料，将导电浆料加热形成导电浆料层；在导电浆料层上涂敷一层碳纳米管浆料，将碳纳米管浆料加热从而在导电浆料层上形成碳纳米管浆料层；以及将形成有导电浆料层和碳纳米管浆料层的导电体在300～600℃条件下进行烘干和焙烧从而在导电体的表面上形成导电层和碳纳米管电子发射层，进而得到场发射电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射电子源的制造方法，主要包括以下步骤：(一)提供至少一个阴极导电体、制备一定量的碳纳米管浆料和导电浆料；(二)在阴极导电体上涂敷一层导电浆料，将导电浆料加热形成导电浆料层；(三)在导电浆料层上涂敷一层碳纳米管浆料，将碳纳米管浆料加热从而在导电浆料层上形成碳纳米管浆料层；以及(四)将形成有导电浆料层和碳纳米管浆料层的导电体在300～600℃条件下进行烘干和焙烧从而在导电体的表面上形成导电层和碳纳米管电子发射层，进而得到场发射电子源。
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