[发明专利]实现同步数字序列TU3/TU12/TU11混合低阶交叉的方法和系统结构无效
| 申请号： | 200610157659.3 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101009528A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 潘剑侠;孙一翎 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H04J3/06 | 分类号： | H04J3/06 |
| 代理公司： | 深圳市睿智专利事务所 | 代理人： | 林青;陈鸿荫 |
| 地址： | 310017*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种实现同步数字序列TU3/TU12/TU11混合低阶交叉的方法和系统结构，用2X258字节数据RAM存放数据，用2X90字节的RAM存放控制字。控制矩阵RAM的地址安排是，用0－83RAM地址来存放252个字节TU12/TU11的控制字和后面252个字节TU3的控制字，前面6个字节TU3的控制字存放在RAM的84－89地址。利用构成交叉模块的每一个VC4产生3个所述控制矩阵RAM的读地址，分别对应TU3、TU12和TU11，并根据不同的输出业务类型，选择一个地址作为控制矩阵RAM的读地址，读出控制字。所述方法和系统结构相比现有技术可以节省近三分之二的控制矩阵RAM，CPU的读写次数也降低了三分之二。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 同步 数字 序列 tu3 tu12 tu11 混合 低阶 交叉 方法 系统 结构 | ||
【主权项】：
1.一种实现同步数字序列TU3/TU12/TU11混合低阶交叉的方法，共特征在于：用2X258字节数据RAM存放数据，用2X90字节的RAM存放控制字。
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