[发明专利]场发射阴极的制备方法有效
| 申请号： | 200610157895.5 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101206980A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;罗春香;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一导电薄膜层；在导电薄膜层上形成一含碳的催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射基底从而生长碳纳米管阵列，形成场发射阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一导电薄膜层；在导电薄膜层上形成一含碳的催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射基底从而生长碳纳米管阵列，形成场发射阴极。
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