[发明专利]陶瓷真空镀膜工艺方法无效

专利信息
申请号: 200610157962.3 申请日: 2006-12-22
公开(公告)号: CN101205603A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 黄俊瑞 申请(专利权)人: 深圳市祥源工贸有限公司
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46;C23C14/54;C23C14/06
代理公司: 深圳市中知专利商标代理有限公司 代理人: 吕晓蕾
地址: 518002广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种陶瓷真空镀膜工艺方法,它属于真空镀膜技术领域,它包括如下工艺步骤:A:将日用陶瓷器件放入具有磁控功能的真空多弧离子镀膜机的真空室挂件内,在电流40~48安倍,电压450~490伏安时产生正离子磁性体沉积粒子;B:加热真空室,使得真空室的温度达到200~350℃之间,抽出真空室内气体达到真空度3×10-2Pa~5×10-3Pa时,放入气压在1Mpa~1.2MPa的氩气气体或氮气气体450ml~980ml;C:开启多弧钛靶在直流电流70~95安倍,直流电压450~490伏安时产生离子电极电流与钛靶相脉冲撞击在真空室内与氩气气体或氮气气体相反应而产生仿黄金或仿银色色彩,沉积在器件表面。本发明工艺简单,环保无毒,适合加工日用陶瓷或玻璃产品。
搜索关键词: 陶瓷 真空镀膜 工艺 方法
【主权项】:
1.一种陶瓷真空镀膜工艺方法,其特征在于它包括如下工艺步骤:A:首先将日用陶瓷器件放入具有磁控功能的真空多弧离子镀膜机的真空室挂件内,先通过磁控装置使得带磁性的钛棒产生偏压电流,在电流40~48安倍,电压450~490伏安时产生正离子磁性体沉积粒子使日用陶瓷器件表层带有磁层体;B:在钛棒产生偏压电流的同时,加热真空室,使得真空室的温度达到200~350℃之间,抽出真空室内气体达到真空度3×10-2Pa~5×10-3Pa时,放入气压在1Mpa~1.2MPa的氩气气体或氮气气体450ml~980ml;C:开启多弧钛靶在直流电流70~95安倍,直流电压450~490伏安时产生离子电极电流与钛靶相脉冲撞击在真空室内与氮气气体相反应而产生仿黄金色彩,与氩气气体相反应而产生白银色彩沉积粒子于陶瓷表层而产生膜层,放开气体即可取出产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市祥源工贸有限公司,未经深圳市祥源工贸有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610157962.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top