[发明专利]陶瓷真空镀膜工艺方法无效
申请号: | 200610157962.3 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN101205603A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 黄俊瑞 | 申请(专利权)人: | 深圳市祥源工贸有限公司 |
主分类号: | C23C14/46 | 分类号: | C23C14/46;C23C14/54;C23C14/06 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人: | 吕晓蕾 |
地址: | 518002广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种陶瓷真空镀膜工艺方法,它属于真空镀膜技术领域,它包括如下工艺步骤:A:将日用陶瓷器件放入具有磁控功能的真空多弧离子镀膜机的真空室挂件内,在电流40~48安倍,电压450~490伏安时产生正离子磁性体沉积粒子;B:加热真空室,使得真空室的温度达到200~350℃之间,抽出真空室内气体达到真空度3×10-2Pa~5×10-3Pa时,放入气压在1Mpa~1.2MPa的氩气气体或氮气气体450ml~980ml;C:开启多弧钛靶在直流电流70~95安倍,直流电压450~490伏安时产生离子电极电流与钛靶相脉冲撞击在真空室内与氩气气体或氮气气体相反应而产生仿黄金或仿银色色彩,沉积在器件表面。本发明工艺简单,环保无毒,适合加工日用陶瓷或玻璃产品。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 真空镀膜 工艺 方法 | ||
【主权项】:
1.一种陶瓷真空镀膜工艺方法,其特征在于它包括如下工艺步骤:A:首先将日用陶瓷器件放入具有磁控功能的真空多弧离子镀膜机的真空室挂件内,先通过磁控装置使得带磁性的钛棒产生偏压电流,在电流40~48安倍,电压450~490伏安时产生正离子磁性体沉积粒子使日用陶瓷器件表层带有磁层体;B:在钛棒产生偏压电流的同时,加热真空室,使得真空室的温度达到200~350℃之间,抽出真空室内气体达到真空度3×10-2Pa~5×10-3Pa时,放入气压在1Mpa~1.2MPa的氩气气体或氮气气体450ml~980ml;C:开启多弧钛靶在直流电流70~95安倍,直流电压450~490伏安时产生离子电极电流与钛靶相脉冲撞击在真空室内与氮气气体相反应而产生仿黄金色彩,与氩气气体相反应而产生白银色彩沉积粒子于陶瓷表层而产生膜层,放开气体即可取出产品。
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