[发明专利]微位移传感器有效

专利信息
申请号: 200610157991.X 申请日: 2006-12-27
公开(公告)号: CN101210802A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 许振丰;金国藩 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: G01B11/14 分类号: G01B11/14;G01B11/02;G01B9/02;G01D5/26
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地址: 100084北京市海淀区清华*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种微位移传感器,包括第一光子晶体模块、第二光子晶体模块、激光源和探测器。第一光子晶体模块包括固定设置的第一基底和呈矩阵方式垂直排列在第一基底上的第一晶柱。第一晶柱矩阵内通过第一晶柱的缺失形成第一导光通道,该第一导光通道包括第一水平通道和分别设置有入光口和出光口且分别与第一水平通道两末端连通的两个第一垂直通道。激光源设置在入光口处。第二光子晶体模块包括可移动的第二基底和呈矩阵方式垂直排列在第二基底上的第二晶柱。第二晶柱矩阵内通过第二晶柱的缺失形成第二导光通道,该第二导光通道包括与第一水平通道平行且相互耦合的第二水平通道和形成探测口的第二垂直通道。探测器设置在探测口处并与其相对固定。
搜索关键词: 位移 传感器
【主权项】:
1.一种微位移传感器,其特征在于:包括第一光子晶体模块、第二光子晶体模块、激光源和探测器,所述的第一光子晶体模块包括固定设置的第一基底和呈矩阵方式垂直排列在第一基底上的第一晶柱,所述的第一晶柱矩阵内通过第一晶柱的缺失形成第一导光通道,所述的第一导光通道包括第一水平通道和分别设置有入光口和出光口且分别与第一水平通道两末端连通的两个第一垂直通道,所述的激光源设置在所述的入光口处,所述的第二光子晶体模块包括第二基底和呈矩阵方式垂直排列在第二基底上的第二晶柱,所述的第二基底与所述的第一基底平行设置且可相对于所述的第一基底水平移动,所述的第二晶柱与所述的第一晶柱具有相同的晶格常数,所述的第二晶柱矩阵内通过第二晶柱的缺失形成第二导光通道,所述的第二导光通道包括与所述的第一水平通道间隔一排所述的第一晶柱和一排所述的第二晶柱的第二水平通道和与第二水平通道末端连通并形成探测口的第二垂直通道,所述的探测器设置在所述的探测口处并与其相对固定,所述的第二水平通道在第二光子晶体模块的移动中与所述的第一水平通道相互耦合。
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