[发明专利]具有非对称传输栅沟道掺杂的像素

摘要

一种像素，包括第一导电类型的衬底、具有与第一导电类型相反的第二导电类型并且被配置来将入射光转换成电荷的光电探测器、第二导电类型的浮动扩散以及在光电探测器与浮动扩散之间的传输区域。在传输区域上形成栅，该栅与光电探测器部分重叠并且被配置成从光电探测器向浮动扩散传输电荷。第一导电类型的钉扎层从所述栅至少延伸跨越光电探测器。第一导电类型的沟道区域一般从该栅的中点至少延伸跨越光电探测器，该沟道区域是通过注入第一导电类型的掺杂剂而形成的，并且其浓度使得该传输区域的接近光电探测器的掺杂剂浓度高于接近浮动扩散的掺杂剂浓度。

主权项

1、一种像素，包含：第一导电类型的衬底具有与第一导电类型相反的第二导电类型并且被配置来将入射光转换成电荷的光电探测器；第二导电类型的浮动扩散；在该光电探测器与该浮动扩散之间的传输区域；在该传输区域上形成的栅，该栅与该光电探测器部分重叠并且被配置成从该光电探测器向该浮动扩散传输所述电荷；第一导电类型的钉扎层，其从该栅至少延伸跨越该光电探测器；以及第一导电类型的沟道区域，其一般从该栅的中点至少延伸跨越该光电探测器，其中该沟道区域是由第一导电性的掺杂剂的注入物形成的，其浓度使得该传输区域的接近该光电二极管的掺杂剂浓度比接近该浮动扩散的掺杂剂浓度更高。