[发明专利]具有MOS晶体管的半导体存储单元阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 200610159240.1 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1917212A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | G·恩德尔斯;M·施特拉泽;P·福伊格特;B·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种包括存储单元阵列的半导体存储器中，每个存储单元包括沟槽电容器和选择晶体管，沟槽电容器包括内部电极、外部电极以及配置在内部电极和外部电极之间的电介质层，选择晶体管包括第一源/漏区、第二源/漏区以及配置在第一源/漏区和第二源/漏区之间凹槽中的沟道区，每个存储单元的沟槽电容器和选择晶体管并排配置，选择晶体管的第一源/漏区电连接到沟槽电容器的内部电极，其中形成有选择晶体管沟道区的凹槽自对准地位于存储单元的沟槽电容器和相邻存储单元的沟槽电容器之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mos 晶体管 半导体 存储 单元 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括存储单元阵列，每个存储单元包括：沟槽电容器，所述沟槽电容器包括内部电极、外部电极以及配置在内部电极和外部电极之间的电介质层；和选择晶体管，所述选择晶体管包括第一源/漏区、第二源/漏区以及配置在第一源/漏区和第二源/漏区之间凹槽中的沟道区，其中每个存储单元的沟槽电容器和选择晶体管并排配置，选择晶体管的第一源/漏区电连接到沟槽电容器的内部电极，以及其中形成有选择晶体管沟道区的凹槽自对准地位于存储单元的沟槽电容器和相邻存储单元的沟槽电容器之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇梦达股份公司，未经奇梦达股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610159240.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：观景窗及具该观景窗的数码相机模组
- 下一篇：水轮发电机导轴承的空冷技术
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
