[发明专利]硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200610159243.5 | 申请日： | 2006-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1917151A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 古屋田荣;桥井友裕;村山克彦;高石和成;加藤健夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/306;H01L21/304;C23F1/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;吴娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅晶片的制造方法，其特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片而得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩展到整个晶片表面而进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，其中上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，其是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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