[发明专利]等离子体处理室无效
| 申请号： | 200610159359.9 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1941284A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 辻本宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065;C23C14/00;C23C16/00;C23F4/00;H05H1/00;G01N15/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不受容器内压力影响，可检测容器内微粒情况的等离子体处理室(10)，其包括：腔室(11)、气体导入喷淋头(34)、向处理空间S施加高频电力的基座(12)、将腔室内的气体排出的排气装置、微粒计数器(45)、以及将腔室分隔成反应室(17)和总管(18)的隔板(14)。排气装置具有粗排气管(54)和主排气管(55)，该两个排气管分别具有向总管(18)内开口的粗排气口(56)和主排气口(57)，该两个排气口相邻排列，分别向微粒自由下落的路径开口。微粒计数器(45)配置在总管内，该微粒计数器的激光照射部(47)沿粗排气口和主排气口的排列方向照射检查用激光。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理室，包括：收容基板的容器，向该容器内供给处理气体的处理气体供给装置，向所述容器内施加高频电力的电极，以及与所述容器连接并对所述容器内的气体进行排气的排气装置，其特征在于：配置有检测悬浮在所述容器内的微粒的微粒检测装置，该微粒检测装置被配置在所述微粒自由下落的路径中，也就是被配置在所述排气装置将所述容器内的气体排出时，利用该排出气体运送的微粒移动的路径中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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