[发明专利]生长半导体衬底的方法、氮化物基发光器件及其制造方法

摘要

通过使用单晶氮化物基半导体衬底制造氮化物基发光器件。在第一衬底上沉积籽晶材料层，其中从第一衬底的顶表面除去包括天然氧化层的有机残留物。从籽晶材料层生长多功能衬底。在多功能衬底上形成包括氮化物基缓冲层的单晶氮化物基半导体层。籽晶材料层主要辅助多功能衬底的生长，多功能衬底主要用于单晶氮化物基半导体衬底的生长。以单晶层或具有六方晶体的多晶层的形式制备多功能衬底。使用单晶氮化物基半导体衬底的发光器件作为具有高容量、大面积、高亮度和高性能的下一代白光源。

主权项

1.一种氮化物基发光器件，包括：包括蓝宝石、硅(Si)、氧化锌(ZnO)或者砷化镓(GaAs)的第一衬底；沉积在所述第一衬底的顶面上的籽晶材料层；堆叠在所述籽晶材料层上的多功能衬底；和形成在用于同质外延生长的多功能衬底的顶面上并包括氮(N2)和III族元素的单晶氮化物基半导体层或者发光结构，其中形成在所述多功能衬底的顶面上的所述氮化物基半导体层包括在大约600℃或者更低的温度下在氢气(H2)和氨气(NH3)气氛下生长的氮化物基缓冲层和在大约1000℃或者更高的温度下在包含氢气(H2)和氨气(NH3)气氛的还原气氛下生长的单晶氮化物基多层，或由顺序地形成在所述氮化物基缓冲层的顶面上的n氮化物基覆层、氮化物基有源层和p氮化物基覆层组成的堆叠结构。