[发明专利]相变随机存取存储器及其制造和操作方法无效
| 申请号： | 200610159880.2 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101017878A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 金基俊;姜闰浩;卢振瑞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种含有带二极管功能的电阻元件的相变RAM(PRAM)及其制造和操作方法。该PRAM包括：衬底；在衬底上所形成的相变二极管层；以及在相变二极管层上所形成的上部电极。相变二极管层包括掺杂了第一杂质的材料层和堆叠在掺杂层上的相变层。相变层显示出掺杂了具有与第一杂质相反的导电类型的杂质的半导体材料的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 及其 制造 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种相变RAM(PRAM)，包括：衬底；在所述衬底上形成的相变二极管层；以及在所述相变二极管层上形成的上部电极。
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