[发明专利]互连结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200610159881.7 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1967804A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 杜·B·古延;哈扎拉·S·拉索尔;比伦德拉·N·阿加瓦拉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种器件以及器件的制造方法。该器件包括具有金属线和通孔的双金属镶嵌线，以及设置用于分割金属线的冗余衬垫。所述方法包括在双金属镶嵌线的金属带中形成沟槽，在沟槽中沉积阻挡层，以及用金属填充沟槽的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种器件的制造方法，包括：在双金属镶嵌线的金属带中形成沟槽；在所述沟槽中沉积阻挡层；以及用金属填充所述沟槽的剩余部分。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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