[发明专利]磁阻效应元件无效
| 申请号： | 200610159938.3 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1941450A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 恒川孝二;大卫·D.·贾亚普拉维拉 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01F10/00;H01F10/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磁阻效应元件，具有固定强磁性层和自由强磁性层及由这些强磁性层夹持的阻挡层，且在自由强磁性层中使用硼B的添加量(b：原子％)为21％≤b≤23％的CoFeB而构成。这样，在该磁阻效应元件中，在保持高MR比的同时磁致伸缩常数在磁致伸缩常数零附近不会急剧变化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，具有固定强磁性层、自由强磁性层及由这些强磁性层夹持的阻挡层，其特征在于：在所述自由强磁性层中使用硼B的添加量(b：原子％)为21％≤b≤23％的CoFeB。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能安内华股份有限公司，未经佳能安内华股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610159938.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
