[发明专利]用于基板处理的排气装置有效
| 申请号： | 200610159968.4 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1945795A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 木村义雄;金川耕三 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/00;G03F7/00;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在可靠地收集排气流体中的异物的同时能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。排出被供给至收容作为被处理基板的半导体晶片W的密闭容器(54)内的供处理用流体的排气装置，在经由排气管(68)连接到所述密闭容器且上下端闭塞的外部排气筒(71)内，具有：向下方引导流过该外部排气筒内的排气流体的下游导向通路(201)、在向上方引导在该下游导向通路中流动的排气流体的同时使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路(202)和将该上游导向通路中的流动的排气流体向下方外部引导的排出通路(203)，在排出通路中设置有作为排气单元的喷射器(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 排气装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于基板处理的排气装置，其排出供向收容被处理基板的处理室内的供处理用的流体，其特征在于：所述排气装置在经由排气管与所述处理室连接且上下端闭塞的外部排气筒内，具有：将在该外部排气筒内流动的排气流体向下方引导的下游导向通路；将在该下游导向通路中流动的排气流体向上方引导的同时，使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路；和将在该上游导向通路中流动的排气流体向下方外部引导的排出通路，并在所述排出通路中介入设置有排气单元而构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
