[发明专利]不增加工艺复杂性和成本的用于实现高可靠性的半导体存储器件无效
| 申请号： | 200610160356.7 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1967717A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/408;G11C11/4097;G11C11/406 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，设置有DRAM阵列(2)和控制电路(1)。DRAM阵列(2)包括第一和第二存储区域(2A、2B)。控制电路(1)控制对所述DRAM阵列(2)的存取，以便所述第一存储区域(2A)的数据保持特性优于所述第二存储区域(2B)的数据保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 工艺 复杂性 成本 用于 实现 可靠性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：DRAM阵列，其包括第一和第二存储区域；和控制电路，其控制对所述DRAM阵列的存取，以使得所述第一存储区域的数据保持特性优于所述第二存储区域的数据保持特性。
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