[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200610160387.2 | 申请日: | 2006-11-15 |
公开(公告)号: | CN1967867A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 宋根圭;金保成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/522;H01L51/05;H01L21/84;H01L21/768;H01L51/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括:绝缘衬底;形成于所述绝缘衬底上的包括栅电极的多条栅布线;覆盖所述多条栅布线的栅绝缘膜;在栅绝缘膜上的形成的透明电极层,透明电极层包括在栅电极周围设置的源电极和漏电极,源电极和漏电极彼此分开以界定在其之间设置的沟道区;覆盖透明电极层的预定区域并绝缘地与多条栅布线交叉以界定多个像素的多条数据布线;和形成于每个像素的沟道区上的有机半导体层,有机半导体层的预定部分有效地与源电极、漏电极和栅电极连接,从而形成具有改善的特性和新的结构的晶体管。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种显示装置,包括:绝缘衬底;形成于所述绝缘衬底上多条栅布线,所述栅布线包括栅电极;覆盖所述多条栅布线的栅绝缘层;在所述栅绝缘层上的形成的透明电极层,所述透明电极层包括在所述栅电极周围设置的源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极彼此分开以界定在它们之间设置的沟道区;覆盖所述透明电极层的预定区域并绝缘地与所述多条栅布线交叉以界定多个像素的多条数据布线;和形成于每个像素的沟道区上的有机半导体层,所述有机半导体层的预定部分有效地与所述源电极、所述漏电极和所述栅电极连接以形成晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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