[发明专利]包括n+界面层的可变电阻随机存取存储器有效
| 申请号： | 200610160399.5 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101097988A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 赵重来;李殷洪;斯蒂法诺维奇·金瑞克;埃尔·M·鲍里姆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 界面 可变 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻随机存取存储器，包括：下电极；n+界面层，形成在所述下电极上；形成在所述n+界面层上的缓冲层；氧化物层，其形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性；及上电极，形成在所述氧化物层上。
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