[发明专利]利用电磁辐射的熔接方法有效
| 申请号： | 200610160557.7 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1970277A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | R·格林;M·维尔皮茨;F·－E·鲍曼;K·库曼;S·蒙谢默 | 申请（专利权）人： | 德古萨公司 |
| 主分类号： | B29C65/14 | 分类号： | B29C65/14;B29C65/16;B32B27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周铁;林森 |
| 地址： | 德国杜*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 可借助于膜C相互熔接两种不可相互直接熔接的模制件A和B，只要该膜的第一表面的材料与模制件A的材料相容且该膜的第二表面的材料与模制件B的材料相容以及只要膜C或与其相接触的表面区吸收电磁辐射。熔接如此进行，即使膜C的第一表面与模制件A相接触，并使膜C的第二表面与模制件B相接触，并入射电磁辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电磁辐射 熔接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于由至少两个互相不可直接熔接的模制件制备复合件的方法，其具有下列步骤：a)制备模制件A，b)制备模制件B，其材料与模制件A的材料不相容，c)制备膜C，其第一表面的材料与模制件A的材料相容，其第二表面的材料与模制件B的材料相容，其中膜C或与其相接触的表面区吸收电磁辐射，d)使膜C的第一表面与模制件A接触，膜C的第二表面与模制件B接触，e)入射电磁辐射，熔化膜C，和f)使熔化区冷却。
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