[发明专利]功率电路组件及制造方法有效

专利信息
申请号: 200610160598.6 申请日: 2006-10-26
公开(公告)号: CN1956192A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: E·C·德尔加多;R·A·博普雷 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖春京;杨松龄
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种功率电路组件(10)包括基底(12),该基底(12)包括衬底(14),在衬底之上的多个互连电路层(16),每个互连电路层(16)包括形成有衬底电互连线(20)图案的衬底绝缘层(18),和从衬底的顶部表面延伸到至少一个衬底电互连线(20)的通路接线(22,24);以及包括功率半导体器件(28)的功率半导体模块(26),每个功率半导体器件(28)包括在各自功率半导体器件的顶部表面上的器件焊盘(30)和在各自功率半导体器件的底部表面上的背面触点(31),功率半导体器件与薄膜结构(32)耦合,该薄膜结构包括薄膜绝缘层(34)和在薄膜绝缘层之上并选择性地延伸到器件焊盘的薄膜电互连线(36),其中背面触点(31)与选择的衬底电互连线或者通路接线耦合。
搜索关键词: 功率 电路 组件 制造 方法
【主权项】:
1、一种功率电路组件(10),包括:基底(12),包括衬底(14),在衬底之上的多个互连电路层(16),每个互连电路层(16)包括形成有衬底电互连线(20)图案的衬底绝缘层(18),和从衬底的顶部表面延伸到至少一个衬底电互连线(20)的通路接线(22、24);以及功率半导体模块(26),包括功率半导体器件(28),每个功率半导体器件(28)包括在各自功率半导体器件的顶部表面上的器件焊盘(30)和在各自功率半导体器件的底部表面上的背面触点(31),功率半导体器件与薄膜结构(32)耦合,该薄膜结构包括薄膜绝缘层(34)和在薄膜绝缘层之上并选择性地延伸到器件焊盘的薄膜电互连线(36),其中背面触点(31)与所选择的衬底电互连线或者通路接线耦合。
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