[发明专利]半导体晶片的定位方法及使用它的装置无效
申请号: | 200610160795.8 | 申请日: | 2006-12-01 |
公开(公告)号: | CN1975997A | 公开(公告)日: | 2007-06-06 |
发明(设计)人: | 池田谕;山本雅之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;G01B11/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体晶片的定位方法及使用它的装置。由感光传感器检测出从光源照射的光之中通过晶片的外周端的透射光,利用其结果求出晶片的外周坐标。进而利用该坐标群求出中心位置。另外,由光学照相机检测出从照明装置向晶片外周部分照射并反射的反射光,利用其检测结果求出形成在晶片外周上的V槽口的位置。根据这些求出的晶片的中心位置和V槽口的位置,决定晶片的处理位置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 定位 方法 使用 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶片的定位方法,对位于贴有保护片的半导体晶片的周缘部分的定位用的检测部位进行检测,决定处理位置,上述方法包含以下过程:第1照射过程,从光源向贴有保护片的上述半导体晶片的周缘部分照射光;感光过程,在从上述光源向半导体晶片的周缘部分照射光的期间,利用隔着半导体晶片与光源相对配置的第1检测单元,检测来自光源的光;中心决定过程,利用上述第1检测单元的检测结果,决定半导体晶片的中心的位置;第2照射过程,从光源向上述半导体晶片的周缘部分照射光;反射光检测过程,在从上述光源向上述半导体晶片的周缘部分照射光的期间,由第2检测单元检测在半导体晶片上反射的反射光;检测部位决定过程,根据由上述第2检测单元检测出的反射光的光强度的变化,决定上述检测部位的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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