[发明专利]用于制造介电叠层的方法无效
| 申请号： | 200610160890.8 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1983522A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 普拉文·K·纳万卡;施雷亚斯·S·卡尔;尚克尔·穆苏克里斯南;拉胡·沙拉普尼;菲利普·克劳斯;克里斯·奥尔森;卡莱德·Z·埃哈迈德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于在单个集束型设备中在衬底上形成介电材料的方法。在一实施方式中，该方法包括提供具有多个沉积处理室的集束型设备，在所述集束型设备的第一处理室中在衬底上沉积含金属的氧化层，在所述集束型设备的第二处理室中利用惰性等离子体工艺处理所述含金属的氧化层，在所述集束型设备的第三处理室中退火处理所述含金属的氧化层，以及在所述集束型设备的第四处理室中在所述退火处理的衬底上沉积栅极层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 介电叠层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在单个集束型设备中在衬底上形成介电材料的方法，包括：提供具有多个沉积处理室的集束型设备；在位于所述集束型设备的第一处理室中的衬底上沉积含金属的氧化层，其中所述含金属的氧化层的为高介电常数材料；在所述集束型设备的第二处理室中利用惰性等离子体工艺处理含金属的氧化层；在所述集束型设备的第三处理室中退火处理所述含金属氧化的层；以及在所述集束型设备的第四处理室中在的所述经过退火处理的含金属的氧化层上沉积含金属的栅极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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