[发明专利]像素结构及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200610160979.4 申请日: 2006-12-11
公开(公告)号: CN1971388A 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 林祥麟;蔡晴宇;郑逸圣;黄国有 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/133;H01L21/00;G09F9/35
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;徐金国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种像素结构及其制作方法,其中像素结构,适于配置在一基板上,像素结构包括一扫描线、一数据线、一主动组件、一遮蔽电极与一像素电极。扫描线、数据线、主动组件配置于基板上,其中数据线包括一上层导线与一下层导线。上层导线配置于扫描线上方,且跨越扫描线。下层导线与上层导线电性连接。主动组件电性连接至扫描线与上层导线。遮蔽电极配置于下层导线上方。像素电极位于遮蔽电极上方,并与主动组件电性连接,且部分的像素电极与部分的遮蔽电极构成一存储电容。
搜索关键词: 像素 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种像素结构,设置于一基板上,其特征在于,包括:一扫描线,配置于该基板上;一数据线,配置于该基板上,且该数据线包括:一上层导线,配置于该扫描线上方,且跨越该扫描线;一下层导线,电性连接于该上层导线;一主动组件,配置于该基板上,且该主动组件电性连接于该扫描线以及该上层导线;一遮蔽电极,配置于该下层导线上;以及一像素电极,与该主动组件电性连接,其中该像素电极位于该遮蔽电极上,且部分的该像素电极与部分的该遮蔽电极构成一存储电容。
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