[发明专利]光掩模以及使用光掩模制造液晶显示器件阵列基板的方法有效
| 申请号： | 200610160985.X | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1987643A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郭喜荣 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G02F1/1333;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在制造液晶显示器件的阵列基板的工序中形成光刻胶图案的光掩模，其包括具有第一透过率的透射区域；具有第二透过率的遮蔽区域；包括涂覆层并具有第三透过率的第一半透射区域；包括多个条并具有第四透过率的第二半透射区域，所述的多个条相互间隔，其中第三透过率和第四透过率小于第一透过率，大于第二透过率，并且第三透过率大于第四透过率。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 以及 使用 制造 液晶显示 器件 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于在制造液晶显示器件的阵列基板的工序中形成光刻胶图案的光掩模，包括：具有第一透过率的透射区域；具有第二透过率的遮蔽区域；包括涂覆层并具有第三透过率的第一半透射区域；包括多个条并具有第四透过率的第二半透射区域，所述的多个条相互间隔，其中第三透过率和第四透过率小于第一透过率，大于第二透过率，并且第三透过率大于第四透过率。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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