[发明专利]6″VDMOS管用硅外延片的制造方法有效
| 申请号： | 200610161305.6 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101047122A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 马林宝 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 210038江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率VDMOS管用硅外延片的制造方法，首先衬底片的选用优为重要，选用的衬底片既要符合器件的要求，也要符合外延的要求。其技术工艺在于：选择合适的气腐流量和气腐时间，减小气腐杂质在外延反应器的浓度，以减小外延生长时的自掺杂。第一层外延生长：在高浓度的衬底表面用较低的温度生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率；选择合适的外延条件，使外延片的形变最小。第二层外延生长：用较低的温度生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 管用 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种6″功率MOS管用硅外延片的制造方法，其特征在于：气腐条件的选择：气腐温度1130℃，气腐的时间4分钟和HCl流量10L/min的确定；功率VDMOS管用衬底片的选用：用掺As片，电阻率≤0.005Ωcm，抛光片的局部平整度≤1.5(10×10mm)，LTO SiO2背封层边缘去边宽度≤0.4mm，LTO SiO2厚度为6000±600A；第一层外延生长：在高浓度的衬底表面生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，选择合适的外延条件，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率；第二层外延生长：生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层，采用较低的生长温度和较低的生长速率，保证外延片表面的平整度和局部平整度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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