[发明专利]合成高介电常数的聚酰亚胺/纳米钛酸钡复合薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610161358.8 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN100999589A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 林保平;朱俊;徐晓辉 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L79/08;C08K3/24 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种合成高介电常数的聚酰亚胺/纳米钛酸钡复合薄膜的方法：在氮气流保护下，将等摩尔的二酐和二胺加入到N－甲基－2－吡咯烷酮或N，N－二甲基乙酰胺溶剂中，配制成固含量为10～20％的溶液，将改性纳米钛酸钡粒子加入到上述溶液中，改性纳米钛酸钡的加入量小于复合薄膜质量的40％，超声分散，在室温下连续搅拌反应18～24h得到聚酰胺酸，取聚酰胺酸并将其浇注到玻璃板模具上，真空加热脱溶剂、热亚胺化，制备得到复合薄膜。所得的材料具有优异的热稳定性和抗氧化降解性，同时具有高介电常数和较低的介电损耗，因此该材料可应用于卷绕薄膜电容器，印刷电路板，半导体器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 介电常数 聚酰亚胺 纳米 钛酸钡 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种合成高介电常数的聚酰亚胺/纳米钛酸钡复合薄膜的方法，其特征在于：在氮气流保护下，将等摩尔的二酐和二胺加入到N-甲基-2-比咯烷酮或N，N-二甲基乙酰胺溶剂中，配制成固含量为10～20％的溶液，将改性纳米钛酸钡粒子加入到上述溶液中，改性纳米钛酸钡的加入量小于复合薄膜质量的40％，超声分散，在室温下连续搅拌反应18～24h得到聚酰胺酸，取聚酰胺酸并将其浇注到玻璃板模具上，真空加热脱溶剂、热亚胺化，制备得到复合薄膜。
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