[发明专利]制造纳米碳管场效晶体管的方法无效
| 申请号： | 200610161736.2 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101017784A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 陈百宏;魏拯华;骆伯远;斐静伟 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造纳米碳管场效晶体管的方法，包括以下步骤：形成一图案化导电层于一基板上；形成一介电层以覆盖该导电层以及该基板；在该介电层上，形成一纳米碳管层于一对电极之间；以及对该纳米碳管层进行一处理程序，使得该纳米碳管层为半导体型。本发明提供一种制造纳米碳管场效晶体管的方法，在纳米碳管形成之后通过对于纳米碳管进行处理以将金属型纳米碳管转换成半导体型纳米碳管，而应用于场效晶体管、传感器与有机晶体管等领域，以确保芯片的质量并且提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 碳管场效 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米碳管场效晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一图案化导电层于一基板上；形成一介电层以覆盖该导电层以及该基板；在该介电层上，形成一纳米碳管层于一对电极之间；以及对该纳米碳管层进行一处理程序，使得该纳米碳管层为半导体型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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